RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3593
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link