RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2566
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link