RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3061
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link