RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2830
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link