RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2762
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link