RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link