RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2592
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
AMD R334G1339U2S 4GB
A-DATA Technology 10242397 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link