RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2713
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link