RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2190
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link