RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3956
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link