RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2690
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link