RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
3876
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link