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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.8
19.1
写入速度,GB/s
8.4
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
3876
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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