RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link