RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link