RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2773
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link