RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2773
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link