Porównanie pamięci RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Wynik ogólny

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 26

Wokół strony 4% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

18.2 16.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

17.3 10.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2764 3938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns