RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3938
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link