RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
75
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
1763
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link