RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2231
2437
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link