RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2231
2437
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link