RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3025
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link