Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 44

Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 23
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 16.7
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 3025

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351R7CFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351R7CFR8A-PB 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

модули RAM