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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
44
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3025
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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