RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2097
4048
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Porównanie pamięci RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link