RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
55
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link