RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
3546
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link