RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link