RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
3756
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link