RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2808
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link