RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
45
Autour de -22% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
37
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2808
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link