RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
45
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2808
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link