RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
2088
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link