RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
84
104
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
84
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1486
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Mushkin 994083 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link