RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2806
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link