RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,426.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
5,760.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
2,426.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
6400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link