RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,426.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
5,760.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
2,426.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
6400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link