RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3% выше полоса пропускания
Причины выбрать
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,426.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR2
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
5,760.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
2,426.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
6400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link