RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
56
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2862
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link