RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
56
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
3507
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link