RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
3420
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link