RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
75
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2701
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link