RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3580
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link