RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
59
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
59
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2181
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link