RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
56
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
3372
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link