RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
56
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
3110
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Inmos + 256MB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link