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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
56
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
3110
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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