RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
56
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
3649
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link