RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
59
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
59
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
9.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2128
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link