RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2852
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link